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有些MOS管需要用三极管驱动，而不是直接用单片机的I/O口驱动，这是因为单片机的工作电压一般在5V以下，其I/O口输出的驱动电压的幅度较小（不会大于单片机的供电电压），而MOS管是一种电压驱动器件，要想使其充分饱和导通，一般需要较高的驱动电压，故不能直接用单片机I/O口驱动MOS管。为了使MOS管能够充分饱和导通，一般采用下图所示电路。有不少型号的单片机工作电压较低，譬如STM8L151单片机的工作电压范围为1.8～3.6V，C8051F330的工作电压为2.7～3.6V，它们一般都采用3.3V的稳压电源供电，这样其I/O口输出电压的幅度一般≤3.3V。而像IRF840（其外形封装见上图）这类阈值电压较高的大功率MOS管，其栅源两极之间的驱动电压一般要≥10V，才能使其充分饱和导通，显然用上述工作电压为3.3V的单片机输出的信号直接驱动这类MOS管根本无法使其导通。为了能使MOS管充分饱和导通，一般先将单片机I/O口输出的信号经双极型三极管放大，然后再驱动MOS管。
图1电路中，STM8L151单片机I/O口若输出为高电平时，VT1导通（一般只要该高电平信号的幅度稍大于0.7V，即可使其导通），VT2栅极为低电平，处于截止状态，负载RL不工作。当STM8L151的I/O口输出为低电平时，VT1截止，VT2栅极电压几乎等于电源电压12V（VT1截止时，R2两端的压降几乎为零），这样便可以使VT2获得足够幅度的电压而充分饱和导通了。
顺便说一下，现在有不少贴片功率MOS管（譬如SI2301）的阈值电压较低，有的在5V左右的电压下即可饱和导通，不过这类管子的漏极电流只有几安，无法驱动工作电流更大的负载。
用 三极管 直接 驱动 mos 可以 吗 ， 需要 注意 点 什么 ? – zol 问答
这个问题其实就是驱动电路的驱动能力问题。驱动方面，关注它的动态特性，也就是开关特性；还有它的静态特性，就是稳态电平。从静态和动态方面出发，驱动有以下几点需要特别注意：
其一，稳态电平幅值，你得看一下你使用的开关管，比如mosfet，你设计流过它的电流Id是多少，因为像mosfet这类电压型的开关器件，门极电压Vgs和通过主体漏极电流Id是跨导（g）关系，这个跨导就像咱们三极管的电流放大倍数一个道理，所以首先满足Id=Vgs*g也就是你的电平，这里还要注意你的有效Vgs，它是你的实际电平减去这类管子的开通阈值（开通阈值或门槛电压用Vth表示，有效电平=实际电平—Vth）；
其二，动态峰值电流能力，驱动芯片必须要满足给门极充电的能力，尤其是瞬态的峰值电流，Ipeak=门极电平/驱动电阻，如果你的单片机没有这个峰值电流能力，那么我们知道，瞬态大电流和单片机驱动口内阻乘积就是电压，这就是驱动能力不足，导致门极充放电变慢，开关速度异常，还有就是你的单片机会发热；
其三，开关管驱动功率消耗，我们知道理想的电压型开关并不需要驱动功率，但是实际当中，像mosfet存在门极电容（Cgs）和米勒电容（Cgd或Crss），这些电容通过驱动电阻充放电都是要消耗功率的，所以你的单片机还得需要一定的驱动功率能力才行，驱动功率P=驱动电压*工作频率*电容的电荷量（这里包括了门极电容和米勒电容总电荷，通常在数据手册里成为Qg），驱动功率意味着驱动芯片，像单片机会产生功耗，也就是发热的问题。
单片机可以驱动，后面加三极管推挽的作用就是满足稳态电平和动态驱动能力的要求。
你用单片机直接驱动未尝不可，但只需要满足以上静态和动态的需求即可。
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